Effect of germanium doping on electrical properties of n-type 4H-SiC homoepitaxial layers grown by chemical vapor deposition
Artykuł naukowy w czasopiśmie recenzowanyCzasopismo: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS (ISSN: 0021-8979)
Współautorzy: Tomasz Śledziewski, M. Vivona, K. Alassaad, R. Arvinte, S. Beljakowa, H.B. Weber, F. Giannazzo, H. Peyre, V. Souliere, T. Chassagne, M. Zielinski, S. Juillaguet, G. Ferro, F. Roccaforte, M. Krieger
Rok wydania: 2016
Tom: 120
Numer czasopisma: a205701-7
Strony od-do: 1-1
DOI: 10.1063/1.4967301
Cytowanie w formacie Bibtex:
@article{1,
author = "Paweł Kwaśnicki and Tomasz Śledziewski and M. Vivona and K. Alassaad and R. Arvinte and S. Beljakowa and H.B. Weber and F. Giannazzo and H. Peyre and V. Souliere and T. Chassagne and M. Zielinski and S. Juillaguet and G. Ferro and F. Roccaforte and M. Krieger",
title = "Effect of germanium doping on electrical properties of n-type 4H-SiC homoepitaxial layers grown by chemical vapor deposition",
journal = "JOURNAL OF APPLIED PHYSICS",
year = "2016",
number = "a205701-7",
pages = "1-1"
}
Cytowanie w formacie APA:
Kwaśnicki, P. and Tomasz Śledziewski and M. Vivona and K. Alassaad and R. Arvinte and S. Beljakowa and H.B. Weber and F. Giannazzo and H. Peyre and V. Souliere and T. Chassagne and M. Zielinski and S. Juillaguet and G. Ferro and F. Roccaforte and M. Krieger(2016). Effect of germanium doping on electrical properties of n-type 4H-SiC homoepitaxial layers grown by chemical vapor deposition. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, a205701-7, 1-1.