Dr Paweł Kwaśnicki, od 01.07.2015 pracownik na stanowisku specjalista ds. nanotechnologii w ML system. Tytuł doktora nauk fizycznych otrzymał w roku 2014 na Uniwersytecie w Montpellier (Francja), rozprawa doktorska poświęcona tematyce wyznaczania domieszek w SiC metodami niedestrukcyjnymi („Evaluation of doping in 4H-SiC by optical spectroscopies”). W latach 2011-2014 pracownik naukowy CNRS na Université Montpellier 2, Laboratoire Charles Coulomb w grupie: Materiały półprzewodnikowe i czujniki. Papers: 13, Index H=2.

Specjalista w dziedzinie spektroskopii optycznej (LTPL, Raman, IR, elipsometry), pomiarów strukturalnych (SIMS, TEM) oraz pomiarów elektrycznych (Hall effect, C-V, DC).  Posiada szerokie doswiadczenie w charakteryzacji właściwości optycznych, transportowych i elektrycznych półprzewodników  ze szczególnym uwzględnieniem półprzezodników o szerokiej, skośnej przerwie wzbronionej. Członek  międzynarodowego programu NETFiSiC (2011-2014) poświeconemu wytwarzaniu, badaniom i aplikacji SiC. Uczestnik wielu międzynarodowych konferencji i warsztów poświeconych tematyce SiC i metodologii charakteryzacji półprzewodników m.in.: ICSCRM 2013 The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (Miyazaki, Japonia), HeteroSiC-WSMPE 2013, (Nice, Francja), ECSCRM 2012, (St. Petersburg , Rosja). W ramach projektu NETFiSIC odbył kilka miedzynarodowych staży naukowych poświeconych zdobywaniu wiedzy w zakresie wytwarzania, charakteryzacji oraz aplikacji cienkich warstw półprzewodnikowych, m.in. w : NOVQSIC SA- wzrost i polerowanie cienkich warstw połprzewodnikowych (CVD), Universytet Wileński- pomiary właściwości optycznych cienkich warstw metodami DT (differential transitivity) i LITG (light inducted transient grating), Uniwersytet w Tesalonikach-“Summer school: Micro- and Nano- structural characterization of materials” .

Ostatnia aktualizacja: 23.03.2017 16:36