Моделирование и анализ надежностных параметров полупроводниковой памяти информационно-вычислительных устройств
[Modeling and Analysis of Reliable Parameters of Semiconductor Memory of Information and Computing Devices]
Artykuł naukowy w czasopiśmie recenzowanyCzasopismo: Труды БГТУ (ISSN: 1683-0377)
Rok wydania: 2019
Numer czasopisma: 2(224)
Strony od-do: 51-57
Streszczenie: Podano analizę niektórych podejść do modelowania produktywności i niezawodności układów scalonych i modułów pamięci półprzewodnikowej. Jedno z istniejących podejść opiera się na ulepszeniu poszczególnych urządzeń (chipów) w celu zwiększenia ich niezawodności i wydajności (zdolności produkcyjnej); drugi opiera się na analizie rzeczywistej niezawodności urządzeń w celu uzyskania wiarygodnych danych niezbędnych do obliczenia charakterystyk niezawodności modułów pamięci lub innego sprzętu pamięci. Zwrócono uwagę, że defekty i awarie kryształów i modułów pamięci półprzewodnikowej, opracowanie odpowiednich modeli do opisu tych uszkodzeń oraz opracowanie i wykorzystanie skutecznych strukturalnych redundantnych środków do neutralizacji uszkodzeń powinny być rozważone i rozwiązane jako zunifikowany kompleks problem.
Słowa kluczowe: model matematyczny, pamięć pólprzewodnikowa, redundancja, niezawodność
Dostęp WWW: https://elib.belstu.by/bitstream/123456789/31438/1/Urbanovich_modelirovanie_i_analiz.pdf
Cytowanie w formacie Bibtex:
@article{1,
author = "Pavel Urbanovich",
title = "Моделирование и анализ надежностных параметров полупроводниковой памяти информационно-вычислительных устройств",
journal = "Труды БГТУ",
year = "2019",
number = "2(224)",
pages = "51-57"
}
Cytowanie w formacie APA:
Urbanovich, P. (2019). Моделирование и анализ надежностных параметров полупроводниковой памяти информационно-вычислительных устройств. Труды БГТУ, 2(224), 51-57.